Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC143EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC143EPDXV6T1G Hakkında
NSBC143EPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Tek bir SOT-563 paket içinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistör bulunur. Bu bileşen, her transistöre entegre edilmiş base ve emitter dirençleriyle (R1: 4.7kΩ, R2: 4.7kΩ) birlikte gelir ve hızlı anahtarlama uygulamalarında direkt olarak kullanılabilir. Maksimum 50V Vce darbelenme gerilimi, 100mA kollektör akımı ve 500mW maksimum güç dissipasyonu ile tasarlanmıştır. Vce doyma gerilimi 250mV'dir. Surface mount montajı için uygun olan bu komponent, lojik seviyeleri transistör mantığına çevirmek, sinyal kontrolü ve küçük güç anahtarlaması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Özel ön-bias dirençleriyle beraber gelmesi, devre tasarımını basitleştirerek PCB alanından tasarruf sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok