Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC143EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC143EDXV6T1G Hakkında
NSBC143EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, her transistör için entegre edilmiş base-emitter dirençlerine (4.7kΩ) sahiptir. 50V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Entegre biyaslandırma dirençleri sayesinde devre tasarımını basitleştirir ve hızlı prototipleme imkanı sağlar. Anahtarlama, amplifikasyon ve lojik uygulamalarında, özellikle Alan Programlanabilir Kapı Dizileri (FPGA) veya mikrokontroller çıkış sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok