Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC124EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC124EPDXV6T1G Hakkında
NSBC124EPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör çiftidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü tek pakette içerir ve SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı kapsüllemede sunulur.
Bileşen, 50V dielektrik dayanımı ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. İç entegre direnç ağına (R1 ve R2: 22kΩ) sahip olması, harici ön beslemeli dirençlere ihtiyacı elimine eder. 250mV saturasyon voltajı ve 60 minimum hFE kazancı ile sürücü uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar. 500mW güç dağılımı kapasitesi ve düşük 500nA kesme akımı, analog sinyal işleme, lojik arayüz, darbe oluşturma ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Bileşen, 50V dielektrik dayanımı ve 100mA maksimum kolektör akımına sahiptir. İç entegre direnç ağına (R1 ve R2: 22kΩ) sahip olması, harici ön beslemeli dirençlere ihtiyacı elimine eder. 250mV saturasyon voltajı ve 60 minimum hFE kazancı ile sürücü uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar. 500mW güç dağılımı kapasitesi ve düşük 500nA kesme akımı, analog sinyal işleme, lojik arayüz, darbe oluşturma ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok