Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC124EDXV6T1G Hakkında
NSBC124EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketi içinde iki adet NPN transistör ve entegre biasing dirençleri bulunur. Her transistörün maksimum 100mA kollektör akımı kapasitesi ve 50V Vce(BR) aralama voltajı vardır. 22kΩ base ve emitter-base dirençleri ile önceden ayarlanmış yapı, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında düşük bileşen sayısı ile tasarım kolaylığı sağlar. Maksimum 500mW güç dağılımı kapasitesi ile bu bileşen, sinyal işleme, lojik arayüzü, darbe şekillendirme ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok