Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC124EDXV6T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC124EDXV6T1 Hakkında
NSBC124EDXV6T1, onsemi tarafından üretilen 2 adet NPN ön beslemeli (pre-biased) transistörlerin entegre olduğu bir komponenttir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu dual transistör, maksimum 100mA kollektör akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. Her transistörün tabanında 22kΩ base direnci ve emitter tarafında 22kΩ direnç bulunmaktadır. 500mW güç kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Entegre ön yanlılama dirençleri sayesinde harici direnç ihtiyacını azaltır ve kompakt devre tasarımına olanak tanır. TTL/CMOS lojik devreler, anahtarlama uygulamaları ve sinyal amplifikasyonu gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok