Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123JPDXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC123JPDXV6T5G Hakkında
NSBC123JPDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual pre-biased transistör dizisidir. Tek paket içerisinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistör barındıran bu bileşen, SOT-563 (SOT-666) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V breakdown voltajı ve 100mA kollektör akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Dahili 2.2kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci ile ön yüklemeli çalışmaya tasarlanmıştır. Maksimum 500mW güç dağıtım kapasitesi ve 250mV saturasyon voltajı ile anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Hızlı anahtarlama, pulse amplifikasyon ve dijital lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok