Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123JPDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
NSBC123JPDP6T5G Hakkında
NSBC123JPDP6T5G, onsemi tarafından üretilen çift NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-963 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum kollektör akımı ile çalışmaktadır. Entegre 2.2kΩ taban direnç ve 47kΩ emiter-taban direnç yapılandırması sayesinde ön beslemeli konfigürasyonda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 250mV maksimum doyum voltajı ile sinyalleştirme, anahtarlama ve lojik seviyelendirme uygulamalarında tercih edilir. 339mW maksimum güç yönetimi kapasitesiyle düşük güçlü entegre devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok