Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBC123JF3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
NSBC123JF3T5G Hakkında
NSBC123JF3T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli NPN bipolar transistörüdür. SOT-1123 yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA collector akımı kapasitesine sahiptir. İçerisinde entegre edilen 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile hazır biased durumda çalışabilmektedir. 254mW güç sınırlaması ile düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 80 değerindedir. Maksimum 250mV saturation gerilimi ile logic devre seviyelerinde anahtarlama işlemlerine uygundur. Tüketici elektroniği, sensör sürücüleri ve diskrit amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok