Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123JDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC123JDXV6T5G Hakkında
NSBC123JDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 SMD paketinde sunulan bu komponent, entegre baz ve emitter dirençleri (2.2kΩ ve 47kΩ) içerir. 50V kollektör-emitter gerilimi, 100mA maksimum kollektör akımı ve 500mW güç kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 5mA, 10V koşullarında minimum 80 değerine ulaşır. Ön beslemeli tasarımı sayesinde, doğru bias koşullarını sağlamak amacıyla ek dirençler gerektirmeden kullanılabilir. Analog sinyal anahtarlama, lojik seviyeleri sürüş, düşük sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı dijital/analog uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Aktif parça statüsü ile güncel üretimde mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok