Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123JDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC123JDXV6T1G Hakkında
NSBC123JDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör (pre-biased) dizisidir. SOT-563 ve SOT-666 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kollektör akımı ile çalışır. Entegre 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base direnç içeren yapısı sayesinde ön yükleme uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç tüketimi ve 80 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri ile anahtarlama ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. İmKB çıkışı 500nA maksimum ve VCE doyum gerilimi 250mV olarak tasarlanmıştır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devresi ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok