Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123JDXV6T1
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC123JDXV6T1 Hakkında
NSBC123JDXV6T1, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 500mW maksimum güç kapasitesine sahiptir. 100mA maksimum collector akımı ve 50V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Dahili 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter base dirençleri ile birlikte gelen ön beslemeli konfigürasyonu, hızlı on/off anahtarlaması gerektiren uygulamalarda tercih edilir. 80 minimum DC current gain (hFE) değeri, güvenilir anahtarlama işlemleri sağlar. Sinyal işleme, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve düşük güç lojik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen üretim kullanımı sonlanmış (Obsolete) olmakla birlikte, mevcut stoklar üzerinden temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok