Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123JDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
NSBC123JDP6T5G Hakkında
NSBC123JDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-963 yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz dirençleri (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) ile tasarlanmıştır. 50V Vce dağılım gerilimi ve 100mA maksimum kollektör akımı özellikleriyle, düşük sinyalli anahtarlama ve dijital lojik uygulamalarında kullanılır. 339mW maksimum güç dağılımı ve 80 minimum DC kazanç (hFE) değerleriyle, hızlı anahtarlama hızı gerektiren entegre devre tasarımlarında tercih edilir. Yüksek entegrasyon yoğunluğu ve kompakt boyutuyla kompakt elektronik cihazlarda yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok