Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123EPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC123EPDXV6T1G Hakkında
NSBC123EPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SOT-563 SMD paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V Vce (Collector-Emitter) gerilimi ile tasarlanmış olup, maksimum 100mA kollektör akımı sağlayabilir. Bileşen içerisinde temel (base) ve emitter tabanı için 2.2kΩ dirençler bulunmaktadır. Maksimum güç tüketimi 500mW'tır. Vc (Collector) cutoff akımı 500nA ile sınırlandırılmıştır. Bu transistör dizisi, ses amplifikatörleri, sinyal komutlama devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok