Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

NSBC123EPDXV6T1

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
NSBC123E

NSBC123EPDXV6T1 Hakkında

NSBC123EPDXV6T1, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SOT-563 yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Entegre 2.2kOhms base dirençleri ile birlikte gelen bu transistör dizisi, düşük sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdow voltajı ve 500mW maksimum güç derating ile hızlı sinyal işleme devreleri, lojik gate uygulamaları ve rf modülatörler gibi düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Obsolete olarak sınıflandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Obsolete
Power - Max 500mW
Resistor - Base (R1) 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2kOhms
Supplier Device Package SOT-563
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok