Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBC123EF3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
NSBC123EF3T5G Hakkında
NSBC123EF3T5G, onsemi tarafından üretilen NPN ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-1123 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter dirençleriyle (her biri 2.2 kΩ) hızlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V Vce(br)eo ile 100mA maksimum kollektör akımını destekler. 254mW güç disipasyonu kapasitesine ve 250mV saturasyon voltajına sahiptir. Düşük akım uygulamaları, lojik seviyeleri anahtarlamak, sinyal amplifikasyonu ve genel analog/dijital devre tasarımında kullanılır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici bias dirençlerine gerek kalmaz, PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok