Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC123EDXV6T1G
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC123EDXV6T1G Hakkında
NSBC123EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 surface mount pakette sunulan bu komponent, her bir transistöre entegre edilmiş baz ve emitter dirençleri (2.2kΩ) ile birlikte gelmektedir. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 500mW güç tüketimine sahiptir. Vce doyum voltajı 250mV @ 5mA/10mA, kolektör-emitter çökme voltajı ise 50V'dir. Yüksek hız anahtarlaması gerektiren uygulamalarda, voltaj kontrol ve işaret işlemede yaygın olarak kullanılır. İleri beslemeli yapısı sayesinde bağımsız biasing dirençlerine ihtiyaç duymayan kompakt çözümler sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok