Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC115TPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
NSBC115TPDP6T5G Hakkında
NSBC115TPDP6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör çiftidir. Tek bir SOT-963 yüzey montaj paketinde 1 adet NPN ve 1 adet PNP transistörü içerir. Maksimum 50V kolektör-emiter yıkılım voltajı ve 339mW güç dağıtımına sahiptir. Entegre 100kΩ baz direnci ile hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile darbe şekillendirme, lojik devreleri sürme, ses ve RF anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. Düşük cutoff akımı (500nA max) ve 250mV saturasyon voltajı ile verimli komplementer anahtarlama işlemleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 100kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok