Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBC115TF3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
NSBC115TF3T5G Hakkında
NSBC115TF3T5G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-1123 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, entegre baz direnci (100 kΩ) ile birlikte gelir ve geçiş devrelerine doğrudan entegre edilebilir. Maksimum 100 mA kolektör akımı ve 50 V Vce (Collector-Emitter) gerilim derecesiyle karakterizedir. 254 mW güç seviyesinde çalışabilen transistör, 250 mV doyum gerilimi ile düşük kayıp uygulamalarına uygundur. Entegre baz direnci sayesinde ek bileşen gereksinimleri azaltılır ve PCB alanı verimli kullanılır. Lojik seviye kontrolü, anahtarlama devreleri ve sinyalizasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok