Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC115TDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
NSBC115TDP6T5G Hakkında
NSBC115TDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-963 yüzey montajlı pakete sahip bu bileşen, maksimum 50V Vce breakdown voltajında 100mA'e kadar collector akımı sağlayabilir. 100kΩ entegre base direnci ile birlikte gelen ön beslemeli yapı, düşük sinyallerin anahtarlanması ve amplifikasyonu gerektiren uygulamalarda doğrudan kullanılabilir. 160 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 250mV maksimum saturasyon voltajı ile lojik seviyelerin sürülmesi, sinyal koşullama devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük güç tüketimi (maksimum 339mW) ve küçük paket boyutu, mobil cihazlar ve IoT uygulamalarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 100kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok