Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler

NSBC114YPDXV6T5G

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-563
Seri / Aile Numarası
NSBC114YPDXV6T5G

NSBC114YPDXV6T5G Hakkında

NSBC114YPDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistör içeren bu komponent, entegre base ve emitter dirençleri ile birlikte gelir. 50V collector-emitter breakdown voltajı, 100mA maksimum collector akımı ve 500mW güç tüketimi özellikleri ile anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Küçük SOT-563 paketinde sunulan bu komponent, hassas ön beslemeli uygulamalar, darlington çiftleri ve lojik seviyelendirme devrelerinde tercih edilir. 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile önceden konfigüre edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 500mW
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms
Supplier Device Package SOT-563
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok