Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114YPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC114YPDXV6T1G Hakkında
NSBC114YPDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörden oluşan bu bileşen, SOT-563 (6 pin) SMD paketinde sunulmaktadır. 50V kollektor-emitter gerilimi, 100mA maksimum kollektor akımı ve 500mW güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. Transistörler dahili 10kΩ ve 47kΩ ön yükleme dirençleri ile yapılandırılmıştır. Entegre direnç ağı sayesinde harici bileşen gerekliliğini azaltır. Darbe şekillendirme, seviye kaydırma, anahtarlama ve lojik seviye dönüşümü uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi ve kompakt yapısı ile taşınabilir ve endüstriyel elektronik cihazlarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok