Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC114YDXV6T1G Hakkında
NSBC114YDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajı paketi içinde iki adet NPN transistör ve entegre base-emitter direnç ağı bulunur. Maksimum 50V collector-emitter gerilimi ile çalışan bu bileşen, 100mA maksimum collector akımı ve 500mW güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci ile önceden ayarlanmış tasarımı, hızlı sinyal anahtarlaması ve lojik devre uygulamalarında kullanılmaya uygun kılmaktadır. Küçük sinyal anahtarlama, darbe genlişliği modülasyonu (PWM) kontrolü ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok