Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114YDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
NSBC114YDP6T5G Hakkında
NSBC114YDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN pre-biased transistör dizisidir. SOT-963 yüksek yoğunluklu yüzey montajlı paket içinde iki adet NPN transistör barındırır. Her transistör 10kΩ base ve 47kΩ emitter-base ön beslemeli dirençler ile entegre edilmiştir. Maksimum collector akımı 100mA, maksimum collector-emitter gerilimi 50V olup, 339mW'a kadar güç tüketebilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 (5mA, 10V koşulunda) ve saturation gerilimi 250mV (300µA, 10mA koşulunda) ile karakterize edilmiştir. Bu bileşen, lojik seviye komutlanması, anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve gürültü bağışıklığı gerektiren düşük güç devreleri için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok