Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114TPDXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
NSBC114TPDXV6T1 Hakkında
NSBC114TPDXV6T1, onsemi tarafından üretilen pre-biased dual transistör entegre devresidir. Tek bir SOT-563 paketinde 1 NPN ve 1 PNP transistör barındıran bu komponent, 10kOhm base direnç ile ön beslemeli olarak tasarlanmıştır. 100mA maksimum collector akımı, 160 minimum DC akım kazancı ve 250mV saturasyon voltajı ile düşük sinyal işleme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 500mW güç tüketimi ile sınırlı olup, 50V collector-emitter kırılma voltajına sahiptir. Küçük boyutlu yüksek entegre devre tasarımlarında, lojik seviyeleri anahtarlamak ve sinyal yönetimi için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok