Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114TDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC114TDXV6T5G Hakkında
NSBC114TDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal uygulamalarında kullanılır. Her transistöre entegre 10kΩ base direnci sayesinde harici ön beslemeli konfigürasyonlar için gerekli devre karmaşıklığını azaltır. 160'lık minimum DC current gain (hFE), 5mA collector akımında ve 10V Vce'de ölçülmüştür. Maksimum 500mW güç disipasyonu kapasitesi ile sinyal işleme, anahtarlama ve darbe sürücü uygulamalarında tercih edilir. 250mV maksimum Vce(sat) değeri (1mA Ib, 10mA Ic'de) hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok