Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114TDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC114TDXV6T1G Hakkında
NSBC114TDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, her bir transistöre entegre 10kΩ base resistor içerir. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 160 minimum DC akım kazancı ve 250mV saturation gerilimi, hızlı anahtarlama ve sinyal yönetimi gerektiren devrelerde uygun performans sağlar. Maksimum 500mW güç disipasyonu kapasitesi ile sınırlı güç bütçesine sahip tasarımlar için tercih edilir. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici base bias resistor ihtiyacını ortadan kaldırarak PCB alanından tasarruf sağlar. Logic seviyesi sürücü devreleri, darbe oluşturucular, gerilim düzenleyiciler ve uzaktan kumanda sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok