Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114TDP6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
NSBC114TDP6T5G Hakkında
NSBC114TDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-963 yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, entegre 10kΩ base direnci içerir ve 50V maksimum Vce değeriyle çalışır. 100mA maksimum collector akımı ve 160 minimum DC current gain (hFE) özellikleriyle düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ön beslemeli tasarımı sayesinde biyased yapısıyla hazırlanmıştır. Tüketici elektroniği, bilgisayar sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok