Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114EPDXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
NSBC114EPDXV6T5G Hakkında
NSBC114EPDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual transistör entegre devresidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu komponent, SOT-563 yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum akım desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. İçerisinde entegre edilmiş 10kΩ baz ve emitter-baz dirençleri sayesinde hazır kullanıma uygundur. Lojik devreler, darbe şekillendirme, anahtar uygulamaları ve sinyal işleme devreleri gibi analog-digital geçiş uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok