Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114EPDP6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
NSBC114EPDP6T5G Hakkında
NSBC114EPDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual ön beslemeli BJT transistör dizisidir. Bir NPN ve bir PNP transistörü içeren bu bileşen, 50V maksimum Vce değeri ile çalışır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 339mW maksimum güç yeterliği ile şartlandırılmıştır. İçerdiği 10kΩ base ve emitter-base dirençleri ile ön önyargı özelliği sağlar. 250mV maksimum saturasyon voltajı ile düşük kayıp anahtarlama uygulamaları sunar. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren elektronik devrelerde, sayısal mantık devreleri, amplifikatör ön aşamaları ve sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. SOT-963 Surface Mount paket ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 339mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok