Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NSBC114EF3T5G

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1123
Seri / Aile Numarası
NSBC114EF3T5G

NSBC114EF3T5G Hakkında

NSBC114EF3T5G, onsemi tarafından üretilen NPN tipinde ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-1123 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 50V Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımıyla çalışır. Dahili 10kΩ base ve emitter base dirençleri ile ön yapılandırılmıştır. 254mW maksimum güç tüketimi ve 250mV satürasyon voltajı özellikleriyle düşük güçlü anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 35 minimum DC akım kazancı (hFE) ile hassas sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. Sinyaleme, sayısal lojik arabirimleri ve düşük seviyeli soğutucu kontrol uygulamalarında yer bulur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-1123
Part Status Active
Power - Max 254 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package SOT-1123
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok