Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114EDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC114EDXV6T5G Hakkında
NSBC114EDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen dual NPN ön beslemeli (pre-biased) transistör dizisidir. SOT-563 yüksek yoğunluk paketinde sunulan bu komponent, her transistör için entegre 10kΩ base ve emitter-base direnç ağını içerir. 100mA maksimum collector akımı, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mW maksimum güç kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 250mV saturation voltajı ve 35 minimum DC current gain özellikleriyle lojik devreler, sinyal işleme ve düşük güç anahtarlama devreleri tasarımında tercih edilir. Surface mount montajı için optimize edilen bu dizi, kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok