Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBC114EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
NSBC114EDXV6T1G Hakkında
NSBC114EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual NPN transistör dizisidir. SOT-563 SMD paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 100mA collector akımı ile çalışabilir. İçeride bulunan 10kΩ base ve 10kΩ emitter-base dirençleri sayesinde harici ön beslemeli dirençler gerekmez, bu da PCB tasarımını basitleştirir. 500mW maksimum güç disipasyonuyla sınırlı olan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, sinyal yükseltme ve dijital lojik arayüzlemesi gibi düşük sinyal seviyesinde ve orta akım uygulamalarında kullanılır. Aktif parça statüsüyle sahip olan NSBC114EDXV6T1G, logic gate sürücüleri, sensör arayüzleri ve hafif yük kontrolü için uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok