Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBC113EF3T5G
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
NSBC113EF3T5G Hakkında
NSBC113EF3T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) NPN bipolar transistördür. SOT-1123 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 50V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektor akımı ile çalışır. Entegre 1kΩ taban ve 1kΩ emitter-taban dirençleri sayesinde harici biasing dirençlerine gerek olmadan kullanılabilir. 254mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan NSBC113, anahtarlama uygulamaları, sinyal amplifikasyonu ve lojik seviyeleri yönetme gibi genel amaçlı transistor uygulamalarında kullanılır. Düşük cutoff akımı (500nA) ve 250mV satürasyon gerilimi özellikleri ile enerji verimli devreler tasarlamak için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok