Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA144EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA144EDXV6T1G Hakkında
NSBA144EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen 2 adet PNP pre-biased transistör içeren entegre bileşendir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter bozulma gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Entegre 47kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri ile önceden beslenmiş tasarımı, basit anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında doğrudan kullanım sağlar. 250mV doyum gerilimi ve 500mW maksimum güç dağılımı ile TTL/CMOS seviyesi sinyallerin sürülmesinde, ses amplifikatörleri, anahtarlama devrelerinde ve genel amaçlı kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 47kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok