Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA143EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA143EDXV6T1G Hakkında
NSBA143EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual PNP transistördür. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, entegre base dirençleri (4.7kΩ) ile birlikte gelir ve düşük sinyal seviyesi uygulamalarında hızlı anahtarlama sağlar. 50V'a kadar kolektör-emiter besleme gerilimi, 100mA maksimum kolektör akımı ve 500mW güç derecelendirmesi ile düşük güçlü anahtarlama devrelerine uygun şekilde tasarlanmıştır. Ön beslemeli yapısı sayesinde harici ön beslenme dirençlerine gerek olmadan kullanılabilir, bu da PCB alanı tasarrufu sağlar. Sinyal işleme, inverter devreler, lojik seviye kaydırıcıları ve darbe üretim uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Kısa anahtarlama zamanları ve düşük ters doygunluk voltajı (250mV @ 1mA, 10mA) hızlı çalışan dijital devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok