Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA124EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA124EDXV6T1G Hakkında
NSBA124EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 (SOT-666) yüzey montajı paketinde sunulan bu komponent, maximum 50V Vce breakdown voltajı ve 100mA collector akımı ile çalışır. İçerisinde entegre edilmiş 22kΩ base ve emitter-base dirençleri bulunmaktadır. DC current gain (hFE) minimum 60 olup, 5mA collector akımında 10V Vce'de ölçülmüştür. Maximum 500mW güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Vce saturation voltajı 250mV'dir. Ön beslemeli yapısı sayesinde hızlı anahtarlama ve sabit kolektör akımını destekler. Kompakt boyutu sayesinde yoğun entegrasyonun gerekli olduğu uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 22kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok