Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA123TDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSBA123TDP6T5G Hakkında
NSBA123TDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-963 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, entegre baz dirençleri (2.2kOhm) ile hazır hale getirilmiştir. Maksimum 50V Vce breakdown voltajı ve 100mA kolektör akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DC akım kazancı 160 (5mA, 10V'da), doyum voltajı 250mV (300µA baz, 10mA kolektör akımında) ile belirtilmiştir. 408mW maksimum güç dağıtımı özellikleri vardır. Bu komponent, anahtarlama uygulamaları, lojik seviye uyumu, aşırı akım koruması ve darbe genişlik modülasyonu devrelerinde yaygın olarak kullanılır. Küçük sinyal işlemesi gerektiren yüksek entegrasyon devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 408mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok