Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBA123JF3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA123JF3T5G Hakkında
NSBA123JF3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP tipinde ön beslemeli (pre-biased) bipolar transistördür. SOT-1123 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 50V kolektör-emitter gerilimi ve 254mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. Maksimum 100mA kolektör akımı, 80 minimum DC akım kazancı ve 250mV saturasyon gerilimi ile özellikle anahtar uygulamalarında kullanılır. İçeride entegre 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci bulunmaktadır. Elektronik devre kartlarında hızlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve mantık devre uygulamalarında tercih edilir. Aktif status ile uzun süreli ürün desteği sağlanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok