Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA123JDXV6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA123JDXV6T5G Hakkında
NSBA123JDXV6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual PNP transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajlı paket içerisinde iki adet PNP transistörü entegre yapıda barındırır. Transistörlere entegre edilmiş 2.2kΩ base ve 47kΩ emitter-base dirençleri sayesinde harici biasing bileşenlerine ihtiyaç duymaksızın kullanılabilir. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında yer alabilir. 500mW güç dağıtım kapasitesi ile sınırlı güç gerektiren devreler için uygundur. Anahtar devre tasarımı, sinyalleme ve düşük seviye akım kontrol uygulamalarında tercih edilir. Aktif durum ve aktif olmayan durum arasında hızlı geçiş yapabilen bu bileşen, taşınabilir cihazlar ve pil ile çalışan sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok