Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA123JDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123JDXV6T1G Hakkında
NSBA123JDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V Vce breakdown voltajı ile çalışır. İçerisinde entegre 2.2kΩ baz direnci ve 47kΩ emitter-baz direnci bulunur. 500mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve ön beslemeli switch yapılarında kullanılır. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) 5mA kolektör akımında 10V Vce koşullarında garanti edilir. Kompakt dizi yapısı, entegre direnç ağı sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok