Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA123JDXV6T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123JDXV6T1 Hakkında
NSBA123JDXV6T1, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montajlı pakette sunulan bu komponent, 100mA maksimum kolektör akımı ve 50V kesme voltajı ile çalışır. Gömülü temel direnç ağı (R1: 2.2kΩ, R2: 47kΩ) sayesinde işaret amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında bağlantı sayısını azaltır. Maksimum 500mW güç dağılımı kapasitesi ile düşük güçlü analog ve dijital devrelerde kullanılır. Özellikle sinyal amplifikasyonu, lojik seviye çevirme ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok