Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA123JDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSBA123JDP6T5G Hakkında
NSBA123JDP6T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual PNP transistör dizisidir. SOT-963 surface mount pakette sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. Dahili 2.2kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci içerir. DC akım kazancı (hFE) minimum 80 (@5mA, 10V) olup, 250mV saturation gerilimi (@300µA, 10mA) ile çalışır. 408mW maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Ön beslemeli yapısı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında, lojik kart tasarımlarında ve dijital kontrol devrelerinde kullanılan bu transistör, sistem tasarımını basitleştirerek entegrasyon kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 408mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok