Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBA123EF3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA123EF3T5G Hakkında
NSBA123EF3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. SOT-1123 yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, entegre olmayan bir şekilde base ve emitter dirençleri içerir. 50V Vce breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 254mW güç dissipasiyon kapasitesine sahip olan NSBA123EF3T5G, lojik devre uygulamaları, sinyal anahtarlaması, darbe amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (500nA) ve entegre ön polarizasyon dirençleri sayesinde tasarım kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok