Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA123EDXV6T1G
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123EDXV6T1G Hakkında
NSBA123EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual PNP transistör dizisidir. SOT-563 (SOT-666) yüzey montajlı paket içinde iki adet PNP transistörü barındıran bu bileşen, entegre R1 ve R2 direnç öğeleri ile gelir. Maximum 100mA kollektör akımı ve 50V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dağıtım kapasitesi ve 250mV doyum voltajı (saturation) ile anahtar ve sinyal yönetimi işlevlerinde tercih edilir. Kütüphaneleme devre tasarımlarında, güç yönetimi ve sinyalletme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Parça statüsü itibariyle üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok