Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
NSBA115TF3T5G
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
NSBA115TF3T5G Hakkında
NSBA115TF3T5G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. SOT-1123 yüzey montajı paketinde sunulur. 50V maksimum collector-emitter voltajında ve 100mA maksimum collector akımında çalışabilen bu transistör, 254mW güç tüketimine sahiptir. Entegre 100kΩ base direnci bulunmaktadır. DC akım kazancı (hFE) 5mA ve 10V koşullarında minimum 160 değerine ulaşır. Doyum voltajı 300µA base akımı ve 10mA collector akımında maksimum 250mV'dir. Ön beslemeli tasarımı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında, darbe oluşturma devrelerinde ve lojik seviyelendirme devrelerinde kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (500nA maksimum) ve kompakt boyutu, tasarım alanının sınırlı olduğu uygulamalar için elverişlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-1123 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 254 mW |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-1123 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok