Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA115EDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA115EDXV6T1G Hakkında
NSBA115EDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli çift PNP transistörü (Dual Pre-Biased) olup, SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V Vce diyebilme voltajı ve 100mA kollektör akımı kapasitesi ile düşük seviye sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Entegre 100kΩ baz ve emitter-baz dirençleri ile hızlı devreye girme ve çıkma sağlar. 500mW maksimum güç dağılımı özelliğiyle lojik seviye uyumlu sürücü devrelerinde, dijital sinyal işlemede ve küçük yüklerin kontrolünde uygulanır. 250mV maksimum saturasyon voltajı ile düşük güç kayıpları gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 100kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok