Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA114YDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114YDXV6T1G Hakkında
NSBA114YDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen çift PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 50V collector-emitter bozulma gerilimi ve 100mA maksimum collector akımına sahiptir. İçerisinde entegre 10kΩ base direnci ve 47kΩ emitter-base direnci bulunur. 80 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 250mV maksimum doyma gerilimi ile sinyal anahtarlama ve lojik seviye dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile düşük işaret seviyesi anahtarlama devrelerinde, LED sürücülerinde ve mikrodenetleyici çıkış aşamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok