Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA114YDP6T5G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
NSBA114YDP6T5G Hakkında
NSBA114YDP6T5G, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-963 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, entegre base ve emitter direnç ağları ile donatılmıştır. 50V collector-emitter kırılma gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. DC akım kazancı (hFE) en az 80'dir (5mA, 10V koşullarında). Maksimum 408mW güç tüketebilir. Base direnci 10kΩ, emitter-base direnci ise 47kΩ'dur. Ön beslemeli yapısı sayesinde anahtar uygulamalarında ve dijital devreler için uygun bir çözümdür. 250mV doyum gerilimi (@300µA, 10mA) ile hızlı switching işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-963 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 408mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-963 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok