Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA114TDXV6T1G
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
NSBA114TDXV6T1G Hakkında
NSBA114TDXV6T1G, onsemi tarafından üretilen ön beslemeli (pre-biased) dual PNP transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, her bir transistörün entegre edilmiş base direnç ağını (10kΩ) içerir. 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile, sinyal değiştirme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç yayılımı kapasitesi ile, hızlı anahtarlama ve düşük güç lojik devre tasarımlarında tercih edilir. Entegre base direnci sayesinde harici bias devresi gereksinimi azaltılmış, kompakt tasarım sağlanmıştır. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve portatif cihazlar başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok