Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Diziler
NSBA114TDXV6T1
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA114TDXV6T1 Hakkında
NSBA114TDXV6T1, onsemi tarafından üretilen dual PNP ön beslemeli transistör dizisidir. SOT-563 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum collector akımı ve 160 minimum DC gain değerleriyle çalışır. 500mW güç kapasite ve 50V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir. İçerisinde 10kΩ base resistor bulunur ve Vce doyum voltajı 250mV'dir. Amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılan bu transistör, düşük güç tüketimi gerektiren portabl cihazlar, ses amplifikatörleri ve lojik seviye uyarlaması devrelerinde tercih edilir. Yüksek entegrasyon seviyesi sayesinde PCB'de alan tasarrufu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Supplier Device Package | SOT-563 |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok